ايرنا- شركت "آي‌بي‌ام" با همكاري دو شركت ديگر موفق به توليد تراشه حافظه جديدي به نام حافظه "تغيير فازي" يا "پي‌رم"(? (PRAM?شده است كه مي‌تواند در آينده جايگزين حافظه‌هاي "فلش" و هاردديسك‌ها شود.
شركت "آي‌بي‌ام" اعلام كرد اين شركت به همراه دو شركت "كيموندا" و "مكرونيكس" موفق به توليد تراشه حافظه جديدي شده كه سرعت نوشتن و خواندن اطلاعات در نمونه اوليه آن ? 500?برابر سرعت حافظه‌هاي "فلش" امروزي است و مصرف برق در آن نيز ? 50?درصد كمتر از حافظه‌هاي فلش است.
مدارهاي مورد استفاده در اين تراشه، بسيار ظريف و داراي ابعاد تنها ?3? نانومتر در ? 20?نانومتر هستند. محققان براي ساخت تراشه حافظه "تغيير فازي" از يك آلياژ نيمه‌هادي جديد به نام "ژرمنيوم آنتي‌موني" استفاده كرده‌اند.
نمونه اوليه تراشه جديد توليدي اين سه شركت در همايش تجهيزات الكترونيكي موسسه مهندسي الكترونيك و مهندسي برق آمريكا (? (IEEE?در شهر سانفرانسيسكو در هفته جاري به نمايش درخواهد آمد.
تراشه "تغيير فازي"، همانند حافظه‌هاي فلش و هاردديسكها جزو انواعي از حافظه‌هاي رايانه‌اي است كه پس از قطع برق نيز قادر به نگهداري اطلاعات در خود هستند.
هم‌اكنون حافظه‌هاي "فلش" به وفور در دوربين‌هاي ديجيتالي و دستگاه‌هاي "ام‌پي‌تري‌پلير" مورد استفاده قرار مي‌گيرند و از آنها به عنوان جايگزين نهايي هاردديسك‌ها ياد مي‌شود،
اما فرايند ساخت همين حافظه‌هاي "فلش" نيز داراي محدوديتهاي مهندسي است كه تا چند سال ديگر امكان توليد حافظه‌هاي فلش بهينه‌تر ممكن نخواهد بود.
اين به آن علت است كه از لحاظ نظري ساخت حافظه‌هاي فلش با فناوري ظريف‌تر از ? 45?نانومتري ممكن نيست و از آنجا كه تا چند سال ديگر نخستين حافظه‌هاي فلش ? 45?نانومتري نيز روانه بازار مي‌شوند، عملا اين قبيل حافظه‌ها به پايان عمر خود نزديك مي‌شوند.
از سوي ديگر ساختار دروني هر حافظه "فلش" پس از حدود ? 100?هزار بار خواندن و نوشتن اطلاعات كم‌كم تغيير شكل داده و حافظه فلش از كار مي‌افتد و اين درحالي است كه حافظه‌هاي جديد "تغيير فازي" داراي عمر بسيار بالاتري خواهند بود.
هنوز زمان دقيق ورود تراشه‌هاي "تغيير فازي" گروه "آي‌بي‌ام - كيموندا- مكرونيكس" به بازار مشخص نشده است.