فيزيکدانان در انگليس مي‌گويند نانوذرات گاليم تحريک شده با پالس‌هاي نوري نانوثانيه‌اي مي‌توانند به عنوان مبنايي براي نسل بعدي حافظه‌هاي تمام نوري و فناوري‌هاي ذخيره اطلاعات مورد استفاده قرار بگيرند.
براي افزايش چگالي ذخيره‌سازي اطلاعات و کاهش مصرف انرژي بايد اندازه سلول‌ها در محيط‌هاي ضبط به اصطلاح تغيير فاز (مانند DVDها) کاهش يابد. ذخيره اطلاعات در اين مواد از طريق سوئيچ کردن ميان شکل‌هاي ساختاري که نمايانگر حالت‌هاي منطقي مختلف (صفر يا يک) با ويژگي‌هاي نوري يا الکتريکي مشخص هستند، صورت مي‌گيرد؛ اين کار با استفاده از ليزر يا پالس‌هاي الکتريکي انجام مي‌شود.
اخيراً محققان نشان داده‌اند که نانوذرات منفرد گاليوم مي‌توانند به عنوان عناصر حافظه‌اي که قابليت چندين بار نوشته شدن را دارند، عمل نمايند. عمل نوشتن روي اين نانوذرات از طريق تغيير حالت پايين‌تر انرژي به حالت بالاتر با استفاده از پالس‌هاي نوري ميکروثانيه‌اي صورت مي گيرد. اين عناصر حافظه‌اي چگالي ذخيره‌سازي بالايي داشته و همچنين انرژي مورد نياز براي تغيير حالت آنها پايين است.
با اين حال مشکلي که وجود دارد اين است که براي بازگشت به حالت پايين‌تر انرژي، اين نانوذرات بايد حدود 90 درجه کلوين خنک‌تر شوند. يعني اينکه با وجودي که پالس‌هاي نوري ميکروثانيه‌اي مي‌توانند اطلاعات را روي اين نانوذرات «بنويسند» و همچنين مي‌توان با استفاده از روبش انعکاسي آنها، اين اطلاعات نوشته شده را «خواند»، اما تنها راه «پاک کردن» اين اطلاعات خنک کردن نانوذرات است.
نيکولاي ژليدوف و همکارانش در دانشگاه ساتمپتون نشان داده‌اند که اگر براي تحريک نانوذرات از پالس‌هاي ليزري با شدت بالا و انرژي پايين و تنها به مدت چند نانوثانيه استفاده شود، تنها به 5 درجه کلوين خنک کردن نياز خواهد بود. اين نتايج نشان مي‌دهند که با استفاده از پالس‌هاي ليزري مختلف براي سوئيچ کردن در دو جهت متفاوت، امکان به دست آوردن هر دو قابليت نوشتن و پاک کردن نوري در دماي ثابت وجود دارد.
منبع http://nanotechweb.org