|
دنياي موبايل و كامپيوترساخت حافظههاي فلش پرظرفيت براي گوشيهاي هوشمند
طراحي حافظه هاي جديد فلاش 256 گيگابيتي از نوع NAND توسط سامسونگ آغاز شده است. اين حافظه ها داراي 48 لايه سه بيتي در سطوح مختلف هستند.
Date:1394/6/17
|
به گزارش فارس به نقل از تك رادار، با افزايش چگالي اين حافظه ها مي توان ظرفيتشان را در آينده بيشتر كرد. علاوه بر سامسونگ، توشيبا، سن ديسك، اينتل و ميكرون هم در تلاش براي طراحي حافظه هاي جديد NAND هستند و همگي قصد دارند اين حافظه ها را با قيمت هاي رقابتي عرضه نمايند.
سامسونگ چندي قبل تراشههاي دو ترابايتي را براي گوشي هاي هوشمند روانه بازار كرد و اميدوار است فناوري جديد ساخت اين تراشه ها را با هزينه كمتر و ابعاد مناسب ممكن كند.
اين تراشه ها از خانواده 3D NAND و موسوم به 3D V-NAND هستند و داده ها در آنها به طور عمودي و به جاي 32 لايه در 48 لايه ذخيره مي شوند. لايه هاي حافظه هاي مذكور از طريق 1.8 ميليارد حفره ارتباطي با يكديگر در ارتباطند و در نهايت 85.3 ميليارد سلول وظيفه ذخيره سازي 256 ميليارد بيت اطلاعات را بر عهده دارند. به بيان ديگر 256 گيگابيت داده بر روي تراشه اي به اندازه سر انگشت ذخيره مي شوند.
استفاده از اين فرايند 48 لايه موجب كاهش 30 درصدي مصرف برق در مقايسه با تراشه هاي 32 لايه اي مي شود. همچنين بهره وري اين تراشه ها 40 درصد بيشتر است.
انتهاي پيام/آ
فارس
|
تگ ها:
|
-(14 Body)
Visitor Count:
1941
|
|