دورنماي آينده مخابرات نانو فوتونيک
 

با اينکه گرايش اخير به استفاده از پردازنده هاي چند هسته اي، وقفه اي گذرا نسبت به رکود فرکانسهاي ساعت ريزپردازنده ايجاد مي کند، اما در عين حال چالشهاي عظيمي، درقابليت برنامه ريزي و در نهايت هدايت معماريهاي سيستمي بسوي درجات بالايي از عدم توازن، در سطوح تکنيکي فناوري مخابرات به فناوري محاسبات ديجيتالي را ايجاد مي نمايد.
توانايي حذف گرماي داخلي، با يک عدم توازن بزرگ در پهناي باند ورودي/خروجي بواسطه تراکم نامناسب اتصالات ورودي/خروجي(I/O)مانع دستيابي به ضرايب تقويت بالا مي گردد. زمان دسترسي زائد يک ريزپردازنده(براي ارتباط با حافظه اصلي برون تراشه اي) يکي از مشکلات اصلي در پردازشها و محاسبات با سرعت فوق العاده سريع مي باشد. قطعات نانوفوتونيک، داراي پتانسيل عرضه فناوريهاي نويني هستند که قادر خواهند بود نه تنها کارايي ارتباطات و آينده کامپيوترها را افزايش دهند بلکه در دگرگوني حوزه طراحي هاي کامپيوتر نيز مي تواند موثر واقع شود. سرعت ارسال بيت فوق بالا، حداقل زمانهاي تاخير دسترسي و اتلاف حرارتي پايين قطعات نانو فوتونيک، استقلال ظرفيت و محدوديتهاي فاصله را در فناوري فوتونيک محفوظ مي دارد.
اگرچه تک تک اتصالات محلي کوچک هستند اما طول مجموع آنها طويل بوده و سهم آنها در بروز زمانهاي تاخير در مسيرهاي حياتي و اتلاف توان حرارتي بزرگ و در حال رشد است. براي نمونه بيشتر از 50درصد توان اتصالات مداري در نقاط اتصال محلي هدر مي رود.
در حاليکه براي يک تخطي به ميزان چند ميليمتر در فاصله، بازده انرژي براي ارسال سيگنالهاي الکتريکي حدود10 پيکاژول بر بايت مي باشد، لينکهاي ارتباطي فوتونيک(مبتني بر قطعات نانو فوتونيک)قادر به انجام عمليات با آهنگ 100فمتوژول بر بايت(ضمن کاهش هزينه تا سطح100فمتوژول بر بايت) مي باشند. قابليت يگانه فوتونها براي اتصالات فوتونيکي چند طول موجي درDRAM I/O، مزيت ميزان پذيري که درچند دهه اخير صنعت نيمه رساناها به آن خو گرفته است را تداوم مي بخشد. ظهور معماريهاي چند هسته اي و تقاضاي در حال رشد براي پردازش اطلاعات جايگاه ويژه اي براي ساختارهاي نانو فوتونيک در زمينه ارتباطات داخل تراشه و بين تراشه اي پديد آورده است.
برخلاف نسلهاي قبلي فناوريهاي نوري، ساختارهاي فوتونيک درمقياس نانو امکان خلقplatformهايي با يکپارچگي بالا در ابعاد و فرايند ساخت سازگار با قطعات حافظه و منطق نانو الکترونيک را فراهم نموده اند و انتظار مي رود تاثير بسزايي بر روي مقياس سيستمهاي پردازش و ارتباطي آينده داشته باشند.
اتصال دهنده هاي نانوفوتونيک قادرند انقلابي در ارتباطات و پردازش آينده بوجود آورند و اين مهم بدون پهناي باند عالي براي اتصال دهنده ها و قابليتهاي مسيريابي طول موج بدون امپدانس الکتريکي يا محدوديتهاي کراس تاک(crosstalk) امري ناشدني است.

نانو حسگرها مورد استفاده در سيستمهاي هوشمند فراگير ميان لايه اي
 

زيرساختارهاي ارتباطي آينده داراي سيستمهاي هوشمند ميان لايه اي و قطعاتي که بصورت خودکار کنترل مي گردند هستند. اين سيستمها و قطعات با تعداد زيادي حسگرهاي قوي تجهيز خواهند شد تا از اتصال يکپارچه آنها با محيط و شبکه هاي هوشمند اطمينان حاصل شود. اخيرا پژوهشگران حسگرهاي نانو مقياس را توسعه دادند و وارد حوزه جديد نانو حسگرهاي فراگير شده اند. نانو حسگرها بر پايه پيشرفتهاي جالب صورت گرفته در توليد نانو مواد با ابعاد، شکل و خواص سطحي قابل پيش بيني به حساسيت شگفت آوري دست يافته اند.
هنگاميکه بسوي ابعاد نانو حرکت مي کنيم بيشتر مواد ويژگيهاي جديدي را آشکار مي سازند که مي توانند براي کاربردهاي گوناگون حسي مفيد واقع شوند. اين ويژگيهاي جالب ريشه در نسبتهاي بالاي سطح به حجم در مقياس نانو و در راستاي تغييرات در ويژگيهاي نوري زير دارند:
(انعکاس، جذب، تابش)، ضريب پخش سطحي يا حجمي، هدايت گرمايي، ظرفيت گرمايي، قدرت مکانيکي و رفتارهاي مغناطيسي.
بسياري از اين اثرات بمنظور پيشرفت تکنيکهاي آشکارسازي حساس جديد مورد بهره برداري قرار مي گيرند. يک نانو سيستم منفرد قادر خواهد بود بيشتر آناليتها را با حساسيت بالا شناسايي کند. پيش بيني مي شود در آينده نزديک، نانو حسگرها بخشي از محيط هوشمند ما را تشکيل دهند و به کمک اين نانو حسگرهاي هوشمند، اطلاعات مربوط به سلامت، زندگي و محيط ما جمع آوري و ارسال مي گردد و بدين طريقي سود سرشاري بسوي زندگي ما سرازير خواهد شد. کاربردهاي بالقوه آن عبارتند از سيستمهاي رانندگي ايمن، ساختمانهاي هوشمند و امنيت منازل، محصولات هوشمندياe-textiles، سيستمهاي توليد، حمل و نقل و عمليات نجات و ترميم در محيطهاي خصمانه. درواقع پيش بيني مي شود سيل بيشمار اين حسگرها نحوه ارتباط ما با محيط اطراف را تغيير دهند. فراواني حسگرهاي ارزان قيمت که در همه جا در دسترس هستند و پتانسيل همبستگي آنها با بيوفناوري و فناوري اطلاعات زندگي انسانها و ارتباط آنها با پيرامونشان را از بيخ و بن تغيير مي دهند.
پژوهشها در زمينه نانو حسگرها تبديل به گسترده ترين و پوياترين حوزه علم و فناوري گشته و سبب شده است پژوهشگران از حوزه هاي مختلف علوم نظير زيست شناسي،شيمي، فيزيک، بيوفن آوري، پزشکي و حوزه هاي نانو مهندسي، گرد هم آيند. اما کاربردهاي گسترده نانو حسگرها ممکن است مشکلات عديده اي در پردازش و بررسي دادهاي حسگر، وتفسير اطلاعات با روشهاي مناسب، پديد آورند.
پيکربندي مولفه هاي گوناگون درون سيستم هاي حسگر، معضل بزرگي را بوجود خواهند آورد. چالش واقعي در نانو حسگرها، ايجاد مدارهاي نانوالکترونيک و ميکروالکترونيک مجتمع در تشکيل يکplatformجهاني مي باشد. روشهاي عملي براي مجتمع نمودن مواد و قطعات ناهمسان بر روي يک لايه نياز به توسعه دارد. مواد نيمه رسانا با ابعاد نانو که بطور يکپارچه مجتمع شده اند، با گاف انرژي معکوس و ويژگيهاي اپتيکي و الکتريکي، گستره نهايي قابليتهاي نانوحسگرها را عرضه مي دارند. تحقق يک حسگر فراگير با شبکه هاي محاسباتي کم توان و خود توان ما را به دستيابي به تعداد زيادي از کاربردهاي جديد و امکان ايجاد شبکه هاي حسگر بي سيم با توان مصرفي بسيار کم قادر مي سازند. اگر چه بسياري از پيشرفتهاي مهيج نو و تازه هستند ولي مفاهيم آنها بطور گسترده مورد بحث بودند در زمان نگارش اين مقاله مهمترين اصول تئوريک در مزينه ساختار نانو پايه ريزي شده است و تجارب زيادي بدست آمده است. شکل3 برخي از حسگرها برپايه نانو مواد که توسط جامعه پژوهشگران طي سالهاي اخير ارائه شده را نشان مي دهد.

شکل5): کارآيي لينکهاي ارتباطي با جريان و ظهور قطعات نانو مقياس و سيستمها
 

نانو مواد براي محاسبات
 

به منظور کوچک کردن قطعات تا آنسوي حد نهايي براي قطعات CMOSمرسوم، مفاهيم جديد مانند قطعات الکترونيکي در مقياس مولکولي، memristors، نيمه رساناهاي با ابعاد کم ساختارهاي آلي و ترانزيستورهاي تک الکتروني بعنوان جانشين فناوريهاي پايه Siتوسعه داده شده اند. تا به سرعت ارتباطات که نيازمند افزايش قابليت محاسباتي با توان محدود است افزوده گردد. در نتيجه ساختارهاي نانو الکترونيکي فراسويCMOSرويکرد متفاوتي هم در ساختارها و هم در ارتباطات قطعات فعال اتخاذ مي کنند. اين امر نيازمند نانو مواد جديد و نوآوري ارتباطات تکنيکهاي ساخت و مهمتر از همه، درک اساسي فصل مشترک با قطعات ويژگيهاي انتقال حامل بالا/پايين فرکانس و قابليت اطمينان به قطعه در درازمدت مي باشد.
پيشرفت سريع در خلق قطعات نانومتري، حد کوچک سازي را تا مرتبه هاي باورنکردني تغيير داده است و امکان ارائه ويژگيهاي جديد ناشي از جفت شدگي مولفه هاي الکترونيکي استاندارد با مواد الکترونيکي مرسوم نظير مولکولها، پروتئينهاي فعال اکسايش-کاهش، نانو بلورهاي نيمه رسانا، نانوتيوبها وحتي مواد آلي نظيرDNAرا فراهم مي سازد شکل 4. يکي از رويکردهاي جالب به منظور کوچک سازي قطعه، الکترونيک مولکولي است که از يک مولکول يا گروههاي کوچکي از مولکولها بصورت مولفه هاي قطعات الکترونيکي بهره مي جويد، با طولهايي از مرتبه 1 نانومتر، اين فناوري نويد بخش توليد نسل جديد قطعات از مرتبه نانو مي باشد. اين قطعات جديد بايد به منظور تشکيل سيستمهاي پردازش اطلاعات پيچيده با ميلياردها وحتي تريلياردها بخش، با هزينه پايين مجتمع گردند. خوشبختانه اين مولفه هاي مقياس-مولکولي را با فرايندهاي شيميايي در مقياس بزرگ مي توان توليد کرد و با اين روشهاي کم هزينه مي توان از روند افزايش نمايي قيمت محصولات نيمه رسانا جلوگيري کرد.
ممريستورها: يکي از محصولات جانبي در الکترونيک مولکولي يک عنصر الکترونيکي است که آنرا مموريستور مي نامند که نه تنها مانند يک مقاومت رفتار مي کند و بسادگي در برابر شارش جريان الکتريکي مقاومت مي کند، بلکه قابليت به يادآوردن آخرين جريان الکتريکي که تجربه کرده است را دارا مي باشد. در دنياي مدارهاي مجتمع براي بخاطر آوردن آخرين جريان عبوري، نياز به مولفه هاي زيادي هست. ويليامز(Williams)و همکارانش که ممريستور را اختراع کردند در واقع چهارمين عنصر بنياني مدار را به دنيا معرفي نمودند: ممريستور، مقاومت، خازن، القاگر.
آنها معتقدند که هر ممريستور مي تواند جايگزين 7تا12 ترانزيستور شود و حافظه اش را بدون استفاده از توان الکتريکي حفظ مي کند در مقابل ترانزيستورها دائماً نياز به توان دارند بنابراين توان زيادي به دليل نشت جريان به هدر خواهد رفت براي دهه ها تلاش براي ساخت هوش الکترونيک (به تقليد از توان محاسباتي شگفت آور مغز انسان)موفقيتهاي کمي را حاصل نموده است زيرا تاکنون در مدارها جاي ممريستور خالي بود با ترکيب ويژگيهاي ممريستورها با خازنها، القاگرها محصولات جديدي بنامهاي مماکاپازيستور مماينداکتور پديد مي آيد. تجمع پردازنده هاي پيچيده در سيناپس کورتکس انسان مي تواند تا ميزانCm2/1010 افزايش يابد، يعني 10 برابر ريزپردازنده هاي امروز.اکنون مي توان به اين فکر افتاد که در گوشيهاي موبايل در آينده با استفاده از ممريستورها ما شاهد حافظه اي کم مصرف به ميزان 50 گيگابايت باشيم.

الکترونيکDNA
 

درميان تعداد کمي از نانومواد آلي،DNA به دليل ويژگيهاي فيزيکي و شيميايي اش، بعنوان داربستي ايده آل براي سازماندهي مواد در مقياس نانو در نظر گرفته مي شود. براي نمونه طول آن و تولي اش را بسادگي مي تواند بوسيله روشهاي ترکيبي و آنزيمي با دقتي از مرتبه نانو مشخص کرد، هر جفت پايه چيزي حدود34/0 نانومتر از يک رشته بهم تابيده خطي از DNAرا بخود اختصاص مي دهد. علاوه براين تواليDNAمي تواند براي توليد ساختارهاي پيچيده و به شدت سازمان يافته برنامه ريزي شود اينکار بصورت خود تجمع(self-assembly)صورت مي گيرد. دوDNA متمم تمايل براي بهم تابيدن به منظور تشکيل پيوند دو رشته اي دارند حتي هنگاميکه از محيط اصلي خود خارج شوند با اضافه کردن يک عنصر شناسايي مهم اين توانايي را ايجاد مي کند که با عناصر محيط اطراف برهمکنش داشته باشد و ارتباط برقرار نمايد. کيل(kiehl)و همکارانش ازDNA پپتيد و پروتئين بعنوان داربستي براي نانوذرات خود تجمعي، نانوتيوبهاي کربن و مولکولها در مدارها الکترونيکي استفاده کردند. اين رويکرد مي تواند بمنظور تجمع قطعات جديد در تراکم هايي فراتر از آنچه در تکنيکهاي ليتوگرافي حاصل مي شود، مورد استفاده قرار گيرد. مطالعات چندي که بر رويDNA انجام گرفت، گستره اي از رفتار انتقال الکترون را نشان مي دهد که در حال حاضر به شرايط آزمايشگاه بستگي دارند. براي نمونه نشان داده شده است کهDNA بعنوان يک عايق، نيمه رسانا، رسانا، حتي ابر رسانا عمل مي کند، اين امر سبب ايجاد فرصتهاي خوبي در زمينه پژوهش بر روي قطعات و مدارهاي سازگار با محيط آينده گردد.

نانومواد پايه کربن
 

نانومواد پايه کربني در حال حاضر در بين مواد شگفت انگيز(اشاره به ساختارهاي نانويي)مورد توجه قرار گرفته اند و انتظار مي رود تاثير شگرفي در آينده الکترونيک، فوتونيک، زيست پزشکي، ذخيره انرژي و قطعات تبديل داشته باشد. نانو تيوبهاي کربن(CNTs)، 10برابر از پولاد محکمتر هستند در حاليکه وزن آنها يک ششم وزن پولاد مي باشد CNTs،لوله هايي تشکيل شده از صفحات کربني هستند که ضخامت هر صفحه برابر ضخامت يک اتم مي باشد که داراي پتانسيل با چالش کشيدن پيونددهنده ها در نسلها آينده فناوري هستند، هنگاميکه هدايت مس بطور ذاتي و به دليل اثرات اندازه اي کاهش مي يابد. برخي ويژگيهاي سحرآميز نانو تيوب کربن عبارتند از: ظرفيت هدايت براي جريانهاي خيلي بزرگ، مسير آزاد بزرگ براي الکترون، مقاومت در برابر مهاجرت الکتريکي، قدرت مکانيکي بالا وپايداري. گرافن يک صفحه کربني با ضخامت يک اتم مي باشد، قدرت مکانيکي اين نازک ماده تا به امروز درهيچ ماده ديگري ديده نشده است بعبارت ديگر نازکترين ماده با بالاترين قدرت مکانيکي در بين مواد است. از ويژگيهاي ديگر اين ماده مي توان به تحرک عظيم ذاتي، جرم موثر صفر اشاره کرد واينکه يک الکترون در درون اين مواد مي تواند چندين ميکرومتر(بدون هيچگونه پراکندگي آنهم در دماي اتاق) حرکت نمايد. اين ماده باشکوه مي تواند چگاليهاي جرياني تا6برابر آنچه که مس از خود عبور مي دهد را متحمل شود ويژگي ديگر اين ماده اين است که ثبت سختي و هدايت گرمايي آن نشان مي دهد، گرافن در برابر گازها نشت ناپذير است، ديگر اينکه قابليت ايجاد سازش بين خواص ضد و نقيض مانند انعطاف پذيري وشکنندگي را داراست. قابليت انتقال الکترونهاي نسبيتي در گرافن، آنرا تبديل به يک ماده بي رقيب در عرصه سرعت براي کاربردهايي نظير: منطق فوق سريع، آشکارسازها، حسگرها و مدارهاي ارتباطي کرده است.
ديگر نانو قطعاتي که اخيرا مورد مطالعه قرار گرفته اند شامل:
نانومغناطيس براي اسپين ترونيک، حافظه هاي تغيير فازي بر پايه نانومواد وماشينهاي سلولي با مرتبه هاي بسيار پايين بارها و جريانهاي الکتريکي.
نانومغناطيسها فرصتي براي تحقق سوئيچينگ انرژي-صفر حافظه و گيتهاي منطقي فراهم نموده اند. حافظه تغيير فاز(PCM)يکي از محتمل ترين نامزدها براي نسل بعدي حافظه هاي غير فرار، برپايه ويژگيهاي عالي سرعت بالا، حاشيه فوق حساس، پايداري خوب ومقياس پذيري بالا مي باشد. نقطه ها، سيمها و چاههاي کوانتومي نانو مقياس در ساختار نانونوري مشدد مي توانند به ميزان زياد اثرات سوئيچينگ و مدولاسيون قوي با صرف توان به ميزان ناچيز را پديد آورند. ترکيب سد کوانتومي براي الکترون با حصارهاي نانو مقياس ممکن است به عرصه هاي شگفت انگيزي در حوزه سوئيچينگ نروي ختم شود چنين سوئيچهايي با سرعتهاي خيلي بالا با فعاليت کنند که توان آن با انرژي مصرفي بر بيت سنجيده مي شود که بسيار پايينتر از رويکردهاي الکترونيکي مي باشد که اين امر موجب هوشمندي بيشتر درشبکه هاي ارتباطيOn-chipمي گردند. نيمه رساناهاي رايج قطعات فلش مموري، نيازمند ولتاژهاي نسبتا بالا براي برنامه ريزي کردن و يا پاک کردن مي باشند. (متجاوز از10 ولت)بنابراين مقدرا انرژي مورد نياز براي ذخيره سازي يک بيت اطلاعات در سلول حافظه فرار(SRAM)(حدود1ولت)کمتر از 1فمتو ژول است. اخيرا طراحيهاي سلول حافظه نانوالکترومکانيکي(NEMory)عرضه شده اند. اين نوع سلولها بسيار فشرده هستند و با ولتاژ پايين کار مي کنند(کمتراز3ولت)تا به هدف انرژي براي پاک کردن يا برنامه ريزي کردن کمتر از 1فمتو ژول دست يابيم. اين قطعه يکي ديگر از نامزدهاي قوي براي کاربردهاي حافظه غير فرار ميان لايه اي آينده مي باشد زيرا اين قطعه داراي پتانسيل کاهش انرژي برنامه ريزي يا پاک کردن به ميزان قابل توجهي مي باشد(بيشتراز100مرتبه).
محاسبات امروز با بحران انرژي فاجعه باري روبرو است که مانع پيشرفت در همه مقياسها شده است، اين مشکل از قطعات دستي و کامپيوترهاي شخصي تا ابرکامپيوترها پيشرفتهاي آينده با نيمه رساناهاي رايج قطعا به چالش کشيده خواهد شد، براي شکستن اين مانع که به ديوار توان شهرت يافته به نوآوريها و ابداعات شگرفي نياز است. در همين زمان در رابطه با عدم دقت و ناپايداري حاصله از فرآيندهاي ساخت و قطعات کوچک طراحيهاي کامپيوترهاي پايه نانومواد آينده بايد قادر باشند تا نقصها و خطاهاي زيادي را متحمل شوند. اين امر به طراحي هاي مقاوم در برابر خطا براي تجمعات خيلي بزرگ با قطعات نانومتري غير قابل اطمينان منجر مي شود. يکي از موانع براي دستيابي به تجمعات در مقياس وسيع قطعات اصلي برپايه نانومواد، سختي در تشکيل تماس بين آنها، کنترل سطوحشان، و خالص سازي آنها براي حصول اطمينان از همانندي ويژگيهاي الکتريکي و فيزيکي اين قطعات مي باشد. علاوه براين، در تمام قطعات عملي خيلي مهم است که الگويي براي ايجاد تماسهاي الکتريکي نانومقياس و پيوند دهنده ها و ساخت اتصالات اهمي با مقاومت پايين به قطعات طراحي گردد تمامي اين چالشها ما را از دستيابي سريع به کاربردهاي اين مواد به کمک فناوري امروز محروم مي سازد. بنابراين براي فايق آمدن براين مشکلات بايد به دنبال راهکارهاي جديدي باشيم.

نتيجه: يک حوزه جديد از نانومواد
 

نانومواد (هم درشکلهاي خام، پيشرفته و مهندسي شده)کليد پيشرفت فناوري آينده و انقلاب صنعتي و در نتيجه جوامع امن تر و بهتر هستند. عمر شهرنشيني کهن و رده بندي آنها، از روي مواد مورد استفاده اين تمدنها مشخص مي گردد. حوزه هاي متفاوت تاريخ براساس موادي که دراين دوران پيدا شدند، نامگذاري گرديده اند. براي نمونه عصر پارينه سنگي عصر مفرغ، عصربرنز، عصر آهن. درست حدس زديد عصر ما عصر نانومواد است. در واقع در دهه گذشته، نانو علوم به جايگاهي در علم با پايه هاي اساسي و مفاهيم کاربردي در همه شاخه هاي علوم تجربي و نظري، علوم زندگي، علوم زمين و علوم مهندسي رسيده است.
چندين نوآوري براساس قطعات نانومقياس توانايي آنرا دارند که نقش بسزايي در تقويت سرعت انتقال داده در سيستمهاي ارتباطي آينده داشته باشند. در نتيجه کارآيي لينکهاي ارتباطي فشار زيادي را متحمل خواهند شد همانطور که در شکل 5نشان داده شده است. اين نمودار نقشه کارايي انرژي و آهنگ انتقال داده را با ابعاد فناوريهاي قطعات مختلف نشان مي دهد.
درگذشته قطعات نسبتا کند و حجيم بودند. صنعت نيمه رساناها کاري شگفت انگيز براي انجام دادن در مقياس قطعات الکترونيکي تا ابعاد نانو را براي ما فراهم نموده است. متاسفانه مبحث تاخير زماني پيوند دهنده ها چالشهاي بزرگي را در جهت دست يابي به مدارهاي خالص الکترونيکي که فراتر از چندين گيگاهرتز کار مي کنند ايجاد کرده است حال برعکس قطعات نوري داراي ظرفيت بالاي حمل داده مي باشند. متاسفانه مولفه هاي نوري دي الکتريک به خاطره قانون پراش محدوديت اندازه دارند بنابراين نمي توان آنها را در ابعاد قطعات الکترونيک بکار گرفت .از طرف ديگر پلاسمونيک و ظهور فناوري هاي ارتباط کوانتومي دقيقاً آنچه را که ساختارهاي فوتنيک و الکترونيک که فاقد آنها هستند را دارا مي باشند:اندازه الکترونيک و سرعت فوتونيک. در حاليکه در اين مقطع غير ممکن است زمان احتمالي توسعه و کاربرد اين نانوقطعات در سيستمهاي تجاري با مقياسهاي متفاوت را پيش بيني کرد، تلاشهاي پيگير در غلبه بر موانع در جهت رسيدن به تجمعات با گستره وسيع و هزينه هاي مقرون به صرفه نانومواد اصلي در سيستمهاي ارتباطي و درک فشارهاي محيطي آنها، انجمنهاي علمي را در دهه آينده به خود مشغول خواهد کرد.
منبع:نشريه بزرگراه رايانه- ش133